BSC048N025S G
제조업체 제품 번호:

BSC048N025S G

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BSC048N025S G-DG

설명:

MOSFET N-CH 25V 19A/89A TDSON
상세 설명:
N-Channel 25 V 19A (Ta), 89A (Tc) 2.8W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

재고:

12801654
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제출

BSC048N025S G 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
19A (Ta), 89A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 35µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2670 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.8W (Ta), 63W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
BSC048N025SGINTR
BSC048N025SGXT
BSC048N025SGINDKR
BSC048N025SGAUMA1
BSC048N025S G-DG
SP000095467
BSC048N025SG
BSC048N025SGINCT
표준 패키지
5,000

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
CSD16327Q3
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
13085
부품 번호
CSD16327Q3-DG
단가
0.38
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
BSC050N03LSGATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
3088
부품 번호
BSC050N03LSGATMA1-DG
단가
0.26
대체 유형
Direct
부품 번호
CSD16404Q5A
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
4701
부품 번호
CSD16404Q5A-DG
단가
0.36
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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